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[填空题]

晶核成长速度与构晶离子的()、()及()等因素有关。

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第1题
下列表述中错误的是()。A.由于无定形沉淀颗粒小,为防止沉淀穿滤,应选用致密滤纸(慢速)B.微溶化

下列表述中错误的是()。

A.由于无定形沉淀颗粒小,为防止沉淀穿滤,应选用致密滤纸(慢速)

B.微溶化合物的临界值(Q/S)愈大,则愈不容易均相成核

C.相对过饱和度愈大,分散度愈高

D.均相成核作用是指构晶离子自发形成晶核

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第2题
在沉淀形成过程中,与待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成( )。

A.吸留沉淀

B.混晶沉淀

C.包藏沉淀

D.后沉淀

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第3题
在沉淀形成过程中,待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成()

A、吸留

B、混晶

C、包藏

D、后沉淀

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第4题
在()难溶电解质的中,如果加入含有某一构晶离子的溶液,则沉淀的溶解度减小,这一效应称为同离子效应。
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第5题
沉淀重量法中,同离子效应会使沉淀溶解度变小,所以在沉淀过程中含构晶离子的沉淀剂应加的越多越好,以减少沉淀在水溶液中的溶解度()
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第6题
过饱和度的大小直接影响着晶核形成和晶体成长过程的快慢,而这两个过程的快慢又影响着结晶产品的粒度及粒度分布。()
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第7题
下列关于沉淀吸附的一般规律,哪些为正确的()

A.离子价数高的比低的易吸附

B.离子浓度愈大愈易被明附

C.沉淀颗粒愈大,吸附能力愈强

D.能与构晶离子生成难溶盐沉淀的离子,优先被子吸附

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第8题
下列有关沉淀吸附的一般规律中,哪条是不对的?( )

A.离子价数高的比低的易被吸附

B.离子浓度愈大愈易被吸附

C.沉淀的颗粒愈小,吸附能力愈强

D.能与构晶离子生成难溶盐沉淀的离子,优先被吸附

E.温度愈高,愈有利于吸附

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第9题
下列关于沉淀吸附一般规律哪些为正确的()。

A.子价数比低的易吸附

B.离子浓度大愈易被明附

C.沉淀颗粒大吸附力愈强

D.能与构晶生成难溶盐沉淀的离优先被子吸附

E.温度高愈有利于吸附

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第10题

金属的结晶基本规律是什么?晶核的形核率与长大速度受哪些因素的影响?

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第11题
当晶胚大小刚好是临界晶核尺寸时,体积自由能的减小等于表面能的增加()
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