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[主观题]
突触前抑制的结构基础是哪一类型的突触A．胞体-胞体型B．胞体-树突型C．轴突-胞体型D．轴突-轴突型E．
突触前抑制的结构基础是哪一类型的突触
A．胞体-胞体型
B．胞体-树突型
C．轴突-胞体型
D．轴突-轴突型
E．轴突-树突型
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突触前抑制的结构基础是哪一类型的突触
A．胞体-胞体型
B．胞体-树突型
C．轴突-胞体型
D．轴突-轴突型
E．轴突-树突型
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对兴奋性突触后电位产生过程的描述，错误的是（）
A. 突触前膜去极化
B. Ca2+促进小泡释放递质
C. 递质与后膜受体结合
D. 后膜主要对Cl-通透性增高
E. 后膜发生局部去极化
抑制性突触后电位是
A．去极化局部电位
B．超极化局部电位
C．具有全或无特性
D．突触后膜NA+通透性增加所致
E．突触前膜递质释放减少所致
激动突触前膜α受体可引起：
A．去甲肾上腺素释放增加
B．血压升高
C．NA释放减少
D．支气管舒张
E．腺体分泌
叩击跟腱引起相连的同块肌肉收缩，属于
A.肌紧张
B.腱反射
C.屈肌反射
D.姿势反射
E.多突触反射
兴奋性突触后电位(EPSP)是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的
A．K+、Na+，尤其是K+
B．K+、Na+，尤其是Na+
C．Ca2+、K+、Cl-，尤其是Cl-
D．K+、Na+、Cl-，尤其是Cl-
E．K+、Cl-，尤其是Cl-
A.K+、Na+，尤其是K+
B.K+、Na+，尤其是Na+
C.K+、Na+、Cl-，尤其是Cl-
D.Ca2+、K+、Cl-，尤其是Cl-
E.K+、Cl-，尤其是Cl-
单层工业厂房骨架承重结构一般选用的基础类型是下列的()。
A．条形基础
B．片筏基础
C．箱形基础
D．独立基础
A.神经冲动在体内快速、频繁、无休止地传递
B.神经冲动的速度快、质量高
C.神经冲动的数量多、信息量大
D.神经冲动要利用身体的神经网络进行
关于反射的论述，哪一项是错误的 （）
A. 完成反射所必需的结构基础是反射弧
B. 反射是实现神经调节的基本方式
C. 同一刺激所引起的反射效应应当完全相同
D. 在反射进行过程中可以有体液因素参与
E. 完成一个反射必须有中枢神经系统参与
多奈哌齐的药理作用特点是
A、对中枢单胺氧化酶选择性高，使脑内DA降解减少
B、对中枢胆碱酯酶选择性高，使脑内Ach增加
c、对外周胆碱酯酶选择性高，使突触部位Ach大量增加
D、对中枢GABA转氨酶选择性高,使脑内GABA分解减少
E、对外周单胺氧化酶选择性高，使肾上腺素分解减慢
