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在下图所示的射极耦合差分式放大电路中，+VCC=+10V，-VEE=-10V，IO=1mA，ro=25kΩ，(电路中未画出)，Rc1=Rc2=10kΩ，BJT的β=200，VBE=0.7V。当
时，求双端输出时的Avd和单端输出的Avd1、Avc1和KCMR1的值。
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电路如下图所示，用镜像电流源(T1、T2)对射极跟随器进行偏置。设
，求电流IO的值。若ro(rce)=100kΩ。试比较该电路与分立元件电路的优点。设VCC=-VEE=10V，VBE=0.6V。
射极偏置电路如下图所示，已知β=60。(1)用估算法求Q点；(2)求输入电阻rbe；(3)用小信号模型分析法求电压增益Av；(4)电路其他参数不变，如果要使VCEQ=4V，问上偏流电阻为多大？
下图所示电路是利用两个运算放大器组成的具有较高输入电阻的差分放大电路，试求uo与ui1，ui2的运算关系式。
在图9.7所示共射放大电路中，UCC=12V，硅晶体管的β=50，IC=1mA，UCE=6V，试确定电路中各个电阻的阻值。
在图9.7所示的共射放大电路中，UCC=24V，RB1=33kQ，RB2=10kΩ，RC=3.3kΩ，RE=1.5kΩ，RL=5.1kΩ，硅晶体管的β=66，试做静态分析和动态分析。
在晶体管放大电路中，测得三个晶体管的各个电极的电位如下图所示。试判断各晶体管的类型(是PNP管还是NPN管)，并区分e、b、c三个电极。
在下图所示放大电路中，已知UCC=12V，RC=3kΩ，RL=6kΩ，RB=280kΩ，三极管UBE=0.7V，β=60。各电容足够大，试求：
在下图所示放大电路中，已知UCC=20V，RC=3kΩ，RB1=60kΩ，RB2=20kΩ，RE1=100Ω，RE2=1.9kΩ，RL=3kΩ，三极管UBE=0.6V，β=60。各电容足够大，试求电路中的IB、IC、UCE，Au，ri，ro。
