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有[100]晶向的n型单晶硅片和某一金属接触形成肖特基二极管，其参数为Wm=4.7eV，χs=4.0eV，Nc=1019cm-3，ND=1015cm-3，半导体硅的相对介电常数为εr=12，忽略表面态的影响，计算室温下：![有[100]晶向的n型单晶硅片和某一金属接触形成肖特基二极管，其参数为Wm=4.7eV，χs=4.0](https://img2.soutiyun.com/ask/uploadfile/6108001-6111000/28a493c8e8c6b6f70287d7efed7bd278.png)
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变形金属再加热时发生的再结晶过程是一个新晶粒代替旧晶粒的过程，这种新晶粒的晶型是( )
(A)与变形前的金属相同(B)与变形后的金属相同(C)形成新的晶型
画出立方系晶体的标准(011)投影图，在图上标出{100}、{110}和{111}的所有晶面的极点以及这些晶面所属的晶带极点的晶带圆。在画出的图中，若(100)极点为N极，(011)极点为E极，求坐标为17°W，24.1°S的晶面的面指数。
设面心立方晶体中的
为滑移面，位错滑移后的滑移矢量为
。
(1) 在晶胞中画出此柏氏矢量b的方向并计算出其大小。
(2) 在晶胞中画出引起该滑移的刃型位错和螺型位错的位错线方向, 并写出此二位错线的晶向指数。
A.确定某金属离子单独滴定时的最高酸度
B.判断滴定某一金属离子时哪些离子有干扰
C.用于选择滴定方式
D.判断是否可通过控制酸度进行分别滴定
有一块施主浓度ND=1016/cm3的n型锗材料，在它的(111)面上与金属接触制成肖特基势垒二极管，已知：VD=0.4V，求加上0.3V电压时的正向电流密度。
下列叙述中哪项与蒿甲醚不符
A．为对青蒿素结构改造得到半合成品
B．是青蒿的内酯羰基被还原为羟基再甲基化得到
C．有两晶型，α及β型，以α型为主
D．比青蒿素的脂溶性大
E．在体内代谢为双氢青蒿素
计算面心立方结构(111)、(110)、(100)晶面的面间距和原子密度(原子个数／单位面积)。
作图表示立方晶系中的(110)、(112)、(234)、
晶面和[111]、[132]、[210]、
晶向。
这段文字重在说明：
A．研究方法的缺陷使中国古代科技长期停滞不前
B．解决实际问题是推动中国古代科技发展的动力
C．中国古代的科学研究关注的重点及其历史背景
D．中国古代的科技水平没有长足进步的根本原因
