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[主观题]

下图所示的放大电路中,已知gm=1mS。画出其微变等效电路,并计算Au,Ri和Ro的值。

下图所示的放大电路中,已知gm=1mS。画出其微变等效电路,并计算Au,Ri和Ro的值。

下图所示的放大电路中,已知gm=1mS。画出其微变等效电路,并计算Au,Ri和Ro的值。下图所示的放

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第1题
放大电路如下图所示,已知晶体管的β=50,rbb'=100Ω,RS=1kΩ。

放大电路如下图所示,已知晶体管的β=50,rbb'=100Ω,RS=1kΩ。

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第2题
下图所示的电路中,已知N沟道结型场效应管的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V,计算ID和UDS的值。

下图所示的电路中,已知N沟道结型场效应管的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V,计算ID和UDS的值。

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第3题
放大电路如下图所示,晶体管的β=100,rbb'=100Ω,UBE=0.7V

放大电路如下图所示,晶体管的β=100,rbb'=100Ω,UBE=0.7V

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第4题
判断下图所示电路能否正常放大,并说明原因。

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第5题
放大电路如下图所示,晶体管的β=100,rbb'=100Ω,|UBE|=0.7V。Ui=0时,Uo=0。试求:

放大电路如下图所示,晶体管的β=100,rbb'=100Ω,|UBE|=0.7V。Ui=0时,Uo=0。试求:

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第6题
已知下图所示的电路中,结型场效应管的IDSS=3mA,UGS(off)=-3V。当RD分别取10kΩ、2kΩ和0等不同阻值时,场效应管

已知下图所示的电路中,结型场效应管的IDSS=3mA,UGS(off)=-3V。当RD分别取10kΩ、2kΩ和0等不同阻值时,场效应管工作在哪个区域(可变电阻区、恒流区、截止区)?

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第7题
如下图所示电路中,已知I1=10mA,I3=5mA,I4=12mA,则I2、I5、I6分别为()。A.-7mA,5mA,8mAB.-7mA,5mA,17

如下图所示电路中,已知I1=10mA,I3=5mA,I4=12mA,则I2、I5、I6分别为()。

A.-7mA,5mA,8mA

B.-7mA,5mA,17mA

C.-7mA,8mA,5mA

D.17mA,-5mA,7mA

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第8题
在附图3.5所示交流电压放大电路中,已知UCC=12V,RB1=20kΩ,RB2=10kΩ,RC=2kΩ,RE=2kΩ,RL=6kΩ,晶体管的β=37.5,rb

在附图3.5所示交流电压放大电路中,已知UCC=12V,RB1=20kΩ,RB2=10kΩ,RC=2kΩ,RE=2kΩ,RL=6kΩ,晶体管的β=37.5,rbe= 8kΩ。

(1) 计算放大电路的电压放大倍数Au

(2) 计算放大电路的输入电阻ri

(3) 计算放大电路的输出电阻ro

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第9题
如下图所示的稳压电路中,已知输入电压UI的变化范围为15~25V,负载电流IL的变化范围为0~15mA,稳压管的参数为I

如下图所示的稳压电路中,已知输入电压UI的变化范围为15~25V,负载电流IL的变化范围为0~15mA,稳压管的参数为IZmax=50mA,IZmin=5mA,稳压值UZ=6V,求限流电阻R的取值范围。

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第10题
放大电路如下图所示,晶体管VT1为硅管,UBE1=0.7V,β1=40;VT2为锗管,UBE2=-0.2V,β2=100,RB=16.1kΩ。

放大电路如下图所示,晶体管VT1为硅管,UBE1=0.7V,β1=40;VT2为锗管,UBE2=-0.2V,β2=100,RB=16.1kΩ。

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第11题
已知放大电路中,3个MOS管的3个电极的电位如下表所示,其开启电压(夹断电压)也在表中。分析这3个管子的类型及

已知放大电路中,3个MOS管的3个电极的电位如下表所示,其开启电压(夹断电压)也在表中。分析这3个管子的类型及其工作状态。

MOS管UGS(th)或UGS(off)UG/VUS/VUD/V管 型工作状态
V1-405-5
V243-2-1.5
V3-30010
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