共源极放大电路如下图所示,已知场效应管gm=1.2mS,画出该电路交流通路和交流小信号等效电路,求Au、Ri、Ro。
共源极放大电路如下图所示,已知场效应管gm=1.2mS,画出该电路交流通路和交流小信号等效电路,求Au、Ri、Ro。
共源极放大电路如下图所示,已知场效应管gm=1.2mS,画出该电路交流通路和交流小信号等效电路,求Au、Ri、Ro。
电路如下图(a)所示。已知Rd=10kΩ,Rs=R=0.5kΩ,Rg1=165kΩ,Rg2=35kΩ,VT=0.8V,KN=1mA/V2。场效应管的输出电阻rds=∞(λ=0),电路静态工作点处VGS=1.5V。试求共源极电路的小信号电压增益和源电压增益(先根据KN、VGS和VT求出gm,再求Av)。
电路如下图所示。设R=0.75kΩ,Rg1=Rg2=240kΩ,Rs=4kΩ,场效应管的gm=11.3mS,rds=50kΩ。试求源极跟随器的源电压增益Avs、输入电阻Ri和输出电阻Ro。
电路如下图所示,设R1=R2=100kΩ,VDD=5V,Rd=7.5kΩ,VT=-1V,Kp=0.2mA/V2。试计算下图所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
差分放大电路如下图所示,已知晶体管的β=80,rbb'=200Ω,UBEQ=0.6V,试求:
分压式偏置稳定放大电路如下图所示,已知晶体管的β=60,UBE=-0.3V,rbb'=100Ω。
放大电路如下图所示,已知三极管β=80,rbb'=200Ω,设各电容对交流的容抗近似为零。试:
多路电流源电路如下图所示,已知所有晶体管的特性均相同,VBE均为0.7V。试求IC1、IC2各为多少。
某反馈放大电路的方框图如下图所示,已知其开环电压增益Av=2000,反馈系数Fv=0.0495。若输出电压vo=2V,求输入电压vi、反馈电压vf及净输入电压vid的值。
电路如下图所示,用镜像电流源(T1、T2)对射极跟随器进行偏置。设,求电流IO的值。若ro(rce)=100kΩ。试比较该电路与分立元件电路的优点。设VCC=-VEE=10V,VBE=0.6V。