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[主观题]
Cu在室温下的电导率为σ=5.88×107S／m，试由此估计其电子平均自由程，并与Cu的晶格间距0.256nm相比较.一个电子
Cu在室温下的电导率为σ=5.88×107S/m，试由此估计其电子平均自由程，并与Cu的晶格间距0.256nm相比较.一个电子在被散射之前会遇到多少原子？
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Cu在室温下的电导率为σ=5.88×107S/m，试由此估计其电子平均自由程，并与Cu的晶格间距0.256nm相比较.一个电子在被散射之前会遇到多少原子？
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在25℃时测得碘酸铜饱和溶液的电导率为6.28×10-4S·cm-1，Cu2+和IO3-的摩尔电导率分别为55和41 S·cm2·mol-1。所用水的电导率小于1μs·cm-1，可以忽略不计。试求Cu(IO3)2的溶度积常数是多少？
已知A(熔点600℃)与B(熔点500℃)在液态无限互溶，在固态300℃时A溶于B的最大溶解度为30%，室温时为10%，但B不溶于A，在300℃时，含40%B的液态合金发生共晶反应。计算分析20%A，45%A，80%A等合金的结晶过程，并确定室温下的组织组成物和相组成物的相对量。
电导率为2000S/cm的n型PoTe，其电子迁移率为6000cm2/(V·s)，电子有效质量为0.2m0，设为长声学波散射，求室温时温差电动势率和帕尔帖系数。
考虑一个硅PN结太阳电池，其面积为2cm2．若太阳电池掺杂浓度为Na=1.7×1016cm-3，Nd=5×1019cm-3)且已知τn=10μs，τp=0.5μs，Dn=9.3cm2/s，Dp=2.5cm2/s，IL=95mA．在室温下：
已知2CR44硅光电池，其光敏面积为10×10mm2，室温时在E1=100mW/cm2的照度下，测得
=550mV，
有一在室温下工作的光导型PbS探测器，其内阻范围为100kΩ～200kΩ，信号的频率范围为0～1000Hz(即△f=1000Hz，f0=500Hz)，Vsi为50μV～500μV，试为其设计一低噪声前置放大器，要求：Avs≥20，等效输入噪声Eni≤10μV(保证
用铂电极电解CuCl2溶液。通过的电流为20A，经过15min后，问：(1)在阴极上能析出多少质量的Cu？(2)在阳极上能析出多少体积的27℃，100kPa下的Cl2(g)？
已知A组元(熔点600℃)与B组元(熔点500℃)在液态无限互溶，在固态时A在B中的最大溶解度为30%，室温时为10%，但B在固态和室温时均不溶于A；在300℃时，含40%B的液态合金发生共晶反应，试做出A-B合金相图，并分析含20%A、45%A、80%A合金的结晶过程。
在室温下，为了把电阻率为0.2Ω·cm的p型硅片变成：(1)电阻率为0.1Ω·cm的p型硅片；(2)电阻率为0.2Ω·cm的n型硅片，各需要掺入何种类型杂质，其密度应是多少？
在一块掺硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟，在室温(300K)下测得电阻率为ρ=2.84Ω·cm。已知所掺的硼浓度为Na1=1016/cm3，硼的电离能为Ea1-Ev=0.045eV，铟的电离能为Ea2-Ev=0.16eV，试求样品中铟的浓度Na2[室温下为Nv=1.04×1019/cm3，μp=200cm2/(V·s)]。
