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[主观题]
一个硅肖特基势垒二极管有0.01cm2的接触面积，半导体中施主浓度为1016cm-3．设ψ0=0.7V，VR=10.3V．计算：
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有一块施主浓度ND=1016/cm3的n型锗材料，在它的(111)面上与金属接触制成肖特基势垒二极管，已知：VD=0.4V，求加上0.3V电压时的正向电流密度。
圆管直径d=2.5cm，当量粗糙度Δ=0.4mm，管中水流的断面平均流速v=2.5m/s，水的运动黏滞系数ν=0.01cm2/s，求管壁的切应力τ0，并求其相应的摩阻流速u、实际黏性底层厚度δ和理论黏性底层厚度δ0。
若设一个硅突变结，其两边杂质浓度分别为NA=1017/cm3，ND=4.5×1015/cm3，求其势垒高度和xD的值。若结上加10V反偏电压时，求xD值。
已知一个硅二极管在外加正向电压VD=0.6V时的正向电流为ID=10mA，试计算当VD增加到0.66V时(即增加10%)的正向电流ID为多少？并分析所得结果。
一个NPN硅晶体管具有下列参数：xB=2μm，在均匀掺杂基区Na=5×1016cm-3，τn=1μs，A=0.01cm2．若集电结被反向偏置，InE=1mA，计算在发射结基区一边的过量电子密度，发射结电压以及基区输运因子．
锌(Zn)在硅中有双重受主能级，即每一个Zn原子可以在较低的能级EA1(△EA1=EA1-Ev=0.31eV)上接受一个电子，在较高的能级EA2(△EA2=EA2-Ev=0.55eV)上接受2个电子。为补偿ND=1016/cm3的n-Si需掺杂Zn原子的浓度为多少？
考虑一个硅PN结太阳电池，其面积为2cm2．若太阳电池掺杂浓度为Na=1.7×1016cm-3，Nd=5×1019cm-3)且已知τn=10μs，τp=0.5μs，Dn=9.3cm2/s，Dp=2.5cm2/s，IL=95mA．在室温下：
有一硅单晶片，厚0.5mm，其一面上每107个硅原子包含两个镓原子，另一个面经处理后含镓的浓度增高。试求在该面上每107个硅原子需包含几个镓原子，才能使浓度梯度为2×1026原子/(m3·m)？(硅的晶格常数为0.5407nm)
用硅钼蓝法测定SiO2。用一含SiO2、0.020mg的标准溶液作参比溶液，测定另一含有0.100mgSiO2的标准溶液，得透射比T为14.4%。今有一未知溶液，在相同条件下，测得透射比为31.8%，求该溶液中SiO2的质量(mg)。
