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[主观题]

在CMOS电路中采用图(a)~(d)所示的扩展功能用法,试分析各图的逻辑功能,写出Y1~Y4的逻辑表达式。已知电源电压V

在CMOS电路中采用图(a)~(d)所示的扩展功能用法,试分析各图的逻辑功能,写出Y1~Y4的逻辑表达式。已知电源电压VDD=10V,二极管的正向导通压降为0.7V。

在CMOS电路中采用图(a)~(d)所示的扩展功能用法,试分析各图的逻辑功能,写出Y1~Y4的逻辑表

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第1题
在图(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ。G1和G2为CMOS反相器,VDD=15V。 (1)试计算电路的正

在图(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ。G1和G2为CMOS反相器,VDD=15V。

(1)试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT+和回差电压△VT

(2)若将图(b)所示的波形加在图(a)所示的施密特触发器的输入端,试画出输出电压的波形。

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第2题
图题4.18所示是用CMOS边沿触发器和或非门组成的脉冲分配电路。试画出在一系列CP脉冲作用下Q1、Q2和Z端对应的

图题4.18所示是用CMOS边沿触发器和或非门组成的脉冲分配电路。试画出在一系列CP脉冲作用下Q1、Q2和Z端对应的输出电压波形。设触发器的初始状态为Q=0。

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第3题
在图4-6所示的降压斩波电路中,E=100V,L=1mH,R=0.5Ω, EM= 10V,采用脉宽制控制方式,T=20μs,当ton=5μs时,计算

在图4-6所示的降压斩波电路中,E=100V,L=1mH,R=0.5Ω, EM= 10V,采用脉宽制控制方式,T=20μs,当ton=5μs时,计算输出电压平均值U0,输出电流平均值I0,计算输出电流的最大和最小值的瞬间值并判断负载电流是否连续。当ton=3μs时,重新进行上述计算。

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第4题
在图14-17所示的各个电路中,试问晶体管工作于何种状态?

在图14-17所示的各个电路中,试问晶体管工作于何种状态?

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第5题
在图3.15所示电路中,已知R=2Ω,Z1=-j10Ω,Z2=(40+j30)Ω,求:

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第6题
在图9.7所示放大电路中,若出现以下情况,对放大电路的工作会带来什么影响:(a)RB1断路;(b)RB2断路;(c)CE断路;

在图9.7所示放大电路中,若出现以下情况,对放大电路的工作会带来什么影响:(a)RB1断路;(b)RB2断路;(c)CE断路;(d)CE短路?

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第7题
在图14.22所示的各个电路中,试问晶体管工作于何种状态?

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第8题
NA和NB均为含源线性电阻网络,在图所示电路中3Ω电阻的端电压U应为()。 (A)不能确定 (B)-6V (C)2V (D)

NA和NB均为含源线性电阻网络,在图所示电路中3Ω电阻的端电压U应为( )。

(A)不能确定 (B)-6V (C)2V (D)-2V

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第9题
在图10.9所示电路中,已知RF=4R1,求uO与UI1和uI2的关系式。

在图10.9所示电路中,已知RF=4R1,求uO与UI1和uI2的关系式。

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第10题
在图8.3(a)所示单相桥式整流电路中,己知U2=30V,RL=120Ω。试选择电路中的二极管。

在图8.3(a)所示单相桥式整流电路中,己知U2=30V,RL=120Ω。试选择电路中的二极管。

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第11题
在图6-43所示电路中,两耦合电感元件间的耦合系数k=0.5, 试求:

在图6-43所示电路中,两耦合电感元件间的耦合系数k=0.5,

试求:

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