在图(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ。G1和G2为CMOS反相器,VDD=15V。 (1)试计算电路的正
在图(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ。G1和G2为CMOS反相器,VDD=15V。
(1)试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT+和回差电压△VT。
(2)若将图(b)所示的波形加在图(a)所示的施密特触发器的输入端,试画出输出电压的波形。
在图(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ。G1和G2为CMOS反相器,VDD=15V。
(1)试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT+和回差电压△VT。
(2)若将图(b)所示的波形加在图(a)所示的施密特触发器的输入端,试画出输出电压的波形。
在图4-60所示的电路中,已知Uab=Ubc,R=10Ω,Zab=R+jXL。试求同相时Zab等于多少?
在图4-26所示的电路中,XL=XC=R,并已知电流表A1的读数为3A,试问A2和A3的读数为多少?
在图4-6所示的降压斩波电路中,已知E=200V,R=10Ω,20μs,计算输出电压平均值U0,输出电流平均值I0。
在图所示电路中,已知非线性电阻的伏安特性为i=g(u)=直流电压源US=4V,小信号电压源uS(t)=15cosωtmV。试求工作点和在工作点处由小信号电压源产生的电压和电流。
习题9-15图所示电路中,已知U=100V,,阻抗ZX的阻抗角|φX|=60°,求ZX和电路的输入阻抗。
已知图(a)电路中,uS=ε(t)V,C=2F,其零状态响应为
如果用L=2H的电感替代电容如图(b)所示,试求零状态响应u2。
习题8-19图所示电路中,已知is=10ε(t)A,R1=1Ω,R2=2Ω,C=1mF,uC(0-)=2V,g=0.25S。求全响应i1(t)、iC(t)、uC(t)。
在图8-14所示的两种机构中,已知O1O2=a=200mm,ω1=3rad/s。求在图示位置时杆O2A的角速度。
在图a、b所示的两种机构中,已知O1O2=a=200mm,ω1=3rad/s,求图示位置时杆O2A的角速度。
在图a和b所示的两种机构中,已知O1O2=a=200mm,ω1=3rad/s。求图示位置时杆O2A的角速度。
在图8-14所示的两种机构中,已知O1O2=a=200mm,ω1=3rad/s。求在图示位置时杆O2A的角速度。