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[主观题]
在图3－6所示电路中，已知P沟道增强型MOSFET的，VGS（th)=－1V，并忽略沟道长度调制效应。
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电路如下图所示，设R1=R2=100kΩ，VDD=5V，Rd=7.5kΩ，VT=-1V，Kp=0.2mA/V2。试计算下图所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。
在图所示结构中，已知：P=4kN，q=3kN/m，M=2kN·m，BD=CD=2m，AC=CB=4m，θ=30°；A为固定端约束。试用虚位移原理求：
图所示对称三相电路中，已知电源线电压U1=380V，负载阻抗Z=80+j60Ω。求三相负载吸收的有功功率P。
在图3-5所示电路中，假设两管μn、Cox相同，VGS(th)=0.75V，ID2=1mA。若忽略沟道长度调制效应，并设T1管的沟道宽长比(W/I)是T2管的5倍，试问流过电阻R的电流IR值。
图6-30所示电路中，已知R1=R2=1Ω，ωL1=3Ω，ωL2=2Ω，ωM=2Ω，U1=100V。试求开关S断开和闭合时的电流i1(t)。
图所示三角形联接对称三相电路中，已知电源线电压U1=380V。若图中m点处发生断路故障。求电压有效值UAN和UBN的值。
在下图所示放大电路中，已知UDD=20V，RD=10kΩ，RG1=200kΩ，RG2=51kΩ，RG=1MΩ，RS=10kΩ，在输出端接一负载电阻RL=10kΩ场效应晶体管为N沟道耗尽型，其参数，IDSS=0.9m，UGS(off)2=-4V，gm=1.5mA/V，试求静态作点及电压放大倍数
并联谐振回路如下图所示，试求并联谐振回路2-3两端的谐振电阻R'p。已知：图(a)中L1=100μH、L2=10μH、M=4μH，等效损耗电阻r=10Ω，C=300pF；图(b)中C1=50pF、C2=100pF、L=10μH、r=2Ω。
图所示电路中方框用来泛指元件。已知四个元件的电压均为5V，且知IA=1A，IB=-2A，PC吸=-20W，PD吸=10W。试求PA吸，PB吸，IC，ID之值。
