在下图所示放大电路中,已知UDD=20V,RD=10kΩ,RG1=200kΩ,RG2=51kΩ,RG=1MΩ,RS=10kΩ,在输出端接一负载
在下图所示放大电路中,已知UDD=20V,RD=10kΩ,RG1=200kΩ,RG2=51kΩ,RG=1MΩ,RS=10kΩ,在输出端接一负载电阻RL=10kΩ场效应晶体管为N沟道耗尽型,其参数,IDSS=0.9m,UGS(off)2=-4V,gm=1.5mA/V,试求静态作点及电压放大倍数
在下图所示放大电路中,已知UDD=20V,RD=10kΩ,RG1=200kΩ,RG2=51kΩ,RG=1MΩ,RS=10kΩ,在输出端接一负载电阻RL=10kΩ场效应晶体管为N沟道耗尽型,其参数,IDSS=0.9m,UGS(off)2=-4V,gm=1.5mA/V,试求静态作点及电压放大倍数
在下图所示放大电路中,已知UCC=20V,RC=3kΩ,RB1=60kΩ,RB2=20kΩ,RE1=100Ω,RE2=1.9kΩ,RL=3kΩ,三极管UBE=0.6V,β=60。各电容足够大,试求电路中的IB、IC、UCE,Au,ri,ro。
在下图所示FET放大电路中,已知VDD=20V,VGS=-2V,管子参数IDSS=4mA,VP=-4V。设C1、C2在交流通路中可视为短路。(1)求电阻R1和静态电流IDQ;(2)求正常放大条件下R2可能的最大值(正常放大时,工作点落在放大区,即恒流区);(3)设rds可忽略,在上述条件下计算Av和Ro。
在下图所示放大电路中,已知UCC=12V,RC=3kΩ,RL=6kΩ,RB=280kΩ,三极管UBE=0.7V,β=60。各电容足够大,试求:
在下图所示放大电路中,已知UCC=12V,RC=2kΩ,RB1=40kΩ,RB2=20kΩ,RE1=100Ω,RE2=1.9kΩ,RL=2kΩ,三极管UBE=0.6V,β=60。C1=C2=CE=50uF,试求:静态工作点UCE。
下图所示的放大电路中,已知gm=1mS。画出其微变等效电路,并计算Au,Ri和Ro的值。
分压式偏置稳定放大电路如下图所示,已知晶体管的β=60,UBE=-0.3V,rbb'=100Ω。
下图所示放大电路为射极输出器,已知UCC=12V,RB=110kΩ,RE=3kΩ,RL=3kΩ,三极管UBE=0.6V,β=100。各电容足够大,求(1)带负载和空载两种情况下的电压放大倍数(2)输入电阻和输出电阻。
某反馈放大电路的方框图如下图所示,已知其开环电压增益Av=2000,反馈系数Fv=0.0495。若输出电压vo=2V,求输入电压vi、反馈电压vf及净输入电压vid的值。
下图所示电路中的A1和A2是集成功率放大器,其最大输出电压的最大值为20V,输入信号为正弦波,所有电容对交流均视为短路。