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在图所示的降压斩波电路中，已知E=200V，R=10Ω，L值极大，蓄电池电压EM=50V，T=140μs，ton=20μs，计算输出电压平均值Uo、输出电流平均值Io。
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在图4-6所示的降压斩波电路中，已知E=200V，R=10Ω,
20μs，计算输出电压平均值U0，输出电流平均值I0。
在图4-60所示的电路中，已知Uab=Ubc，R=10Ω，
Zab=R+jXL。试求
同相时Zab等于多少？
在图14-9所示的两个电路中，已知ui=30sinwtV，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压uO的波形。
在图4-26所示的电路中，XL=XC=R，并已知电流表A1的读数为3A，试问A2和A3的读数为多少？
在图(a)所示的施密特触发器电路中，已知R1=10kΩ，R2=30kΩ。G1和G2为CMOS反相器，VDD=15V。
(1)试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT+和回差电压△VT。
(2)若将图(b)所示的波形加在图(a)所示的施密特触发器的输入端，试画出输出电压的波形。
在图所示的差动放大电路中，已知：UCC=12V，UEE=6V，Rs=10kΩ，RB1=1.2MΩ，RB2=20kΩ，R=51Ω，RL的阻值忽略不计，T1和T2的β1=β2=50。
在图15.25所示的分压式偏置放大电路中，已知UCC=15V，RC=3kΩ，RE=2kΩ，IC=1.55mA，β=50，试估算RB1和RB2(取附录H标称值)。
在图9.15所示放大电路中，已知RC=2kΩ，RE=2kΩ，硅晶体管的β=30，rbe=1kΩ，试画出该放大电路的微变等效电路，推导出由集电极输出和由发射极输出时的电压放大倍数，求出Ui=1mV时的Uo1和Uo2。
在图15-49所示电路中，已知UCC=15V，T1和T2管的饱和管压降|UCES|=2V，输入电压足够大。求解：(1)最大不失真输出电压的有效值；(2)负载电阻RL上电流的最大值；(3)最大输出功率PoM和效率η。
在图所示电路中，已知非线性电阻的伏安特性为i=g(u)=
