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[主观题]

(1)用高斯定理可以证明无限大均匀带电平板两侧的场强,这个公式对于靠近有限大小带电面的地方也适用.也就是

(1)用高斯定理可以证明无限大均匀带电平板两侧的场强E=δ/2ε,这个公式对于靠近有限大小带电面的地方也适用.也就是说,根据这个结果,导体表面面元△S上的电荷在紧靠它的地方产生的场强也应是E=δ/2ε,但它比导体表面附近的场强E=δ/ε小一半,为什么?

(2)若一带电导体表面上某点附近电荷面密度为σ,则该点外表面附近的场强为E=δ/ε,如果将另一带电体移近,问该点的场强是否改变?公式E=δ/ε是否仍成立?

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第1题
一宽度为b的无限大非均匀带正电板,电荷体密度为ρ=kx,(0≤x≤b)如图(a)所示。

一宽度为b的无限大非均匀带正电板,电荷体密度为ρ=kx,(0≤x≤b)如图(a)所示。试求:(1)平

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第2题
(1)在应用高斯定量计算电场强度时,高斯面应怎样选取?(2)下列几个带电体能否用高斯定理来计算电场强度?若作

(1)在应用高斯定量计算电场强度时,高斯面应怎样选取?(2)下列几个带电体能否用高斯定理来计算电场强度?若作为近似计算,应该如何考虑?

(a)电偶极子;(b)长为l的均匀带电直导线;(c)半径为R的均匀带电圆盘。

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第3题
一点电荷q位于两个均匀无限大的介质的分界面上,介质的电容率分别为ε1和ε2,求空间场的分布。

一点电荷q位于两个均匀无限大的介质的分界面上,介质的电容率分别为ε1和ε2,求空间场的分布。

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第4题
三个无限大的平行平面都均匀带电,电荷面密度分别为σ1、σ2和σ3。求下列情形下各区域的场强。 (1)σ1=σ2=σ3=σ;

三个无限大的平行平面都均匀带电,电荷面密度分别为σ1、σ2和σ3。求下列情形下各区域的场强。

(1)σ1=σ2=σ3=σ;

(2)σ13=σ,σ2=-σ;

(3)σ1=σ3=-σ,σ2=σ;

(4)σ1=σ,σ23=-σ。

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第5题
如图8—6(a)所示,电荷面密度为σ1的均匀带电无限大平板A旁边有一带电导体B,今测得B导体表面靠近P点处的电荷面

如图8—6(a)所示,电荷面密度为σ1的均匀带电无限大平板A旁边有一带电导体B,今测得B导体表面靠近P点处的电荷面密度为σ2。求:

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第6题
厚度为b的无限大平板中有电流密度为J0的均匀分布传导电流,方向如图,平板的磁导率为常量μ,两侧分别充满磁导

厚度为b的无限大平板中有电流密度为J0的均匀分布传导电流,方向如图,平板的磁导率为常量μ,两侧分别充满磁导率为μ1和μ2的均匀磁介质.求板内外的B.(提示:由均匀载流无限大平面的结论可知板外有均匀磁场,而且两侧的B等值反向.)

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第7题
半径为R1的导体球带电量为Q,外面套有一个与它同心的导体球壳,内外半径分别为R2和R3,内球与球壳间为空气,球

半径为R1的导体球带电量为Q,外面套有一个与它同心的导体球壳,内外半径分别为R2和R3,内球与球壳间为空气,球壳外为电容率为ε的无限大均匀电介质,求

(1)这个带电系统储存了多少电能?

(2)如果用导线将内球与球壳连接,系统储存的电能又是多少?为什么会有变化?

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第8题
应用高斯定理证明: 应用斯托克斯定理证明:

应用高斯定理证明:

应用斯托克斯定理证明:

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第9题
一根有限长均匀带电直线,其电荷分布及所激发的电场有一定对称性,能否由高斯定理算出场强?

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第10题
均匀介质球中心置一点电荷Qf,球的电容率为ε,球外为真空,试用分离变量法求空间电势,把结果与使用高斯定理进

均匀介质球中心置一点电荷Qf,球的电容率为ε,球外为真空,试用分离变量法求空间电势,把结果与使用高斯定理进行比较。

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第11题
均匀介质球的中心置一点电荷Qf,球的电容率为ε,球外为真空,试用分离变数法求空间电势,把结果与使用高斯定理

均匀介质球的中心置一点电荷Qf,球的电容率为ε,球外为真空,试用分离变数法求空间电势,把结果与使用高斯定理所得结果比较。

提示:空间各点的电势是点电荷Qf的电势Qf/4πεR与球面上的极化电荷所产生的电势的叠加,后者满足拉普拉斯方程。

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