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[主观题]

如下图所示结构,CD杆为刚性杆,C端铰接于墙壁上,AB杆为钢杆,直径d=30mm,容许应力[σ]=170MPa,弹性模量E=2.0×1

05MPa。试求结构的容许荷载F。

如下图所示结构,CD杆为刚性杆,C端铰接于墙壁上,AB杆为钢杆,直径d=30mm,容许应力[σ]=1

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第1题
如下图所示结构,ABC杆为刚性杆,BD杆为横截面积A=400mm2、弹性模量E=2.0×105MPa的钢杆。试求C点的竖向位移。

如下图所示结构,ABC杆为刚性杆,BD杆为横截面积A=400mm2、弹性模量E=2.0×105MPa的钢杆。试求C点的竖向位移。

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第2题
如下图所示结构AB为刚性杆,1、2两杆的直径d1=d2=100mm,3杆直径d3=120mm,容许拉应力[σt]=8MPa,容许压应力[σc]

如下图所示结构AB为刚性杆,1、2两杆的直径d1=d2=100mm,3杆直径d3=120mm,容许拉应力[σt]=8MPa,容许压应力[σc]=10MPa。试求结构的最大荷载。

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第3题
图3-32所示结构由直角弯杆DAB与直杆BC、CD铰接而成,并在A处与B处用固定铰支座和可动铰支座固定。杆DC受均布载

图3-32所示结构由直角弯杆DAB与直杆BC、CD铰接而成,并在A处与B处用固定铰支座和可动铰支座固定。杆DC受均布载荷q的作用,杆BC受矩为M=qa2的力偶作用。不计各构件的自重,求铰链D所受的力。

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第4题
一直径为d的圆截面平面曲拐ABC(AB⊥BC,位于xz平面),与直径为d0的圆截面杆CD铰接C点,如图(a)所示。今有一重为W

一直径为d的圆截面平面曲拐ABC(AB⊥BC,位于xz平面),与直径为d0的圆截面杆CD铰接C点,如图(a)所示。今有一重为W的物体,由高度为H处自由落下冲击于曲拐B点,试校核CD杆的安全。已知材料的力学性能:σb=380MPa,σs=240MPa,σp=200MPa,E=200GPa,G=80GPa;结构尺寸:d=50mm,d0=10mm,l=1m,载荷W=200N,高度H=20mm;强度安全系数n=2,稳定安全系数[nw]=3。

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第5题
如下图所示,结构受力F作用,杆重量不计,则A支座约束反力的大小为()。A.B.C.D.

如下图所示,结构受力F作用,杆重量不计,则A支座约束反力的大小为()。

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第6题
如图所示平面支架,直角弯杆BE与水平杆AD在C点铰接,AD杆的A端铰接一半径为r=0.3m的滑轮。跨过滑轮的绳子,一端

水平地系于弯杆的E点,另一端悬挂有重为Q=100kN的物块。设AB=AC=CD=l=1m,不计摩擦及其余各构件重量,试求系统平衡时,支座A和B处的反力。

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第7题
现有一只量程为0~20mm的电容式位移传感器,其结构如下图所示。已知L=25mm,r1=6mm,r2=5.7mm,r=4.5mm,B与C之间

现有一只量程为0~20mm的电容式位移传感器,其结构如下图所示。已知L=25mm,r1=6mm,r2=5.7mm,r=4.5mm,B与C之间构成固定电容CF,A与C之间的电。容Cx随活动导杆D的位移量x而变化,拟采用理想运放。

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第8题
由CMOS逻辑门组成的微分型单稳电路如下图所示。其中tpi为3μs,Cd=50pF,Rd10kΩ,C=0.01μF,R=10kΩ,试对应地画出ν

由CMOS逻辑门组成的微分型单稳电路如下图所示。其中tpi为3μs,Cd=50pF,Rd10kΩ,C=0.01μF,R=10kΩ,试对应地画出ν1、νd、ν01、νR、ν02、ν0的波形,并求出输出脉冲宽度。

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第9题
图所示平面结构由L形梁AC和直梁CD铰接而成,各梁自重不计,已知:q=1kN/m,M=27kN·m,P=12kN,θ=30°,L=4m。 试

图所示平面结构由L形梁AC和直梁CD铰接而成,各梁自重不计,已知:q=1kN/m,M=27kN·m,P=12kN,θ=30°,L=4m。

试求:

(1)支座A的反力;

(2)支座B的反力;

(3)铰C的受力。

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第10题
在下图所示铰链四杆机构中,已知各杆长度lAB=42mm,lBC=78mm,lCD=75mm,lAD=108mm。要求

在下图所示铰链四杆机构中,已知各杆长度lAB=42mm,lBC=78mm,lCD=75mm,lAD=108mm。要求

(1) 试确定该机构为何种机构;

(2) 若以构件AB为原动件,试用作图法求出摇杆CD的最大摆角ϕ,

此机构的极位夹角θ,并确定行程速比系数K

(3) 若以构件AB为原动件,试用作图法求出该机构的最小传动角

γmin;

(4) 试分析此机构有无死点位置。

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第11题
如下图所示,设已知四杆机构各构件的长度为a=240mm,b=600mm,C=400mm,d=500mm。试问:

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