题目内容
（请给出正确答案）
某n型半导体硅，其掺杂浓度ND=1015cm-3，少子寿命τp=5μs，若由于外界作用，使其少数载流子全部被清除(如反向偏压的pn结附近)，试求此时电子—空穴的产生率是多大(设ni=1.5×1010cm-3)？
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
更多“某n型半导体硅，其掺杂浓度ND=1015cm－3，少子寿命τ…”相关的问题
有[100]晶向的n型单晶硅片和某一金属接触形成肖特基二极管，其参数为Wm=4.7eV，χs=4.0eV，Nc=1019cm-3，ND=1015cm-3，半导体硅的相对介电常数为εr=12，忽略表面态的影响，计算室温下：
考虑一个硅PN结太阳电池，其面积为2cm2．若太阳电池掺杂浓度为Na=1.7×1016cm-3，Nd=5×1019cm-3)且已知τn=10μs，τp=0.5μs，Dn=9.3cm2/s，Dp=2.5cm2/s，IL=95mA．在室温下：
若设一个硅突变结，其两边杂质浓度分别为NA=1017/cm3，ND=4.5×1015/cm3，求其势垒高度和xD的值。若结上加10V反偏电压时，求xD值。
锌(Zn)在硅中有双重受主能级，即每一个Zn原子可以在较低的能级EA1(△EA1=EA1-Ev=0.31eV)上接受一个电子，在较高的能级EA2(△EA2=EA2-Ev=0.55eV)上接受2个电子。为补偿ND=1016/cm3的n-Si需掺杂Zn原子的浓度为多少？
一个硅肖特基势垒二极管有0.01cm2的接触面积，半导体中施主浓度为1016cm-3．设ψ0=0.7V，VR=10.3V．计算：
有一块施主浓度ND=1016/cm3的n型锗材料，在它的(111)面上与金属接触制成肖特基势垒二极管，已知：VD=0.4V，求加上0.3V电压时的正向电流密度。
现有三块半导体硅材料，已知在室温下(300K)它们的空穴浓度分别为：p01=2.25×1016cm-3，p02=1.5×1010cm-3，p03=2.25×104cm-3。
（１）分别计算这三块材料的电子浓度n01 、n02、 n03；
（２）判别这三块材料的导电类型；
（３）分别计算这三块材料的费米能级的位置。
一金属板与n型硅相距0.4μm，构成平行板电容器，其间的干燥空气的相对介电常数εra=1，当金属端加负电压时，半导体处于耗尽状态。
设一n型半导体导带电子的有效质量
，求在300K时，使费米能级
的施主浓度。设此时施主的电离很弱。
一个NPN硅晶体管具有下列参数：xB=2μm，在均匀掺杂基区Na=5×1016cm-3，τn=1μs，A=0.01cm2．若集电结被反向偏置，InE=1mA，计算在发射结基区一边的过量电子密度，发射结电压以及基区输运因子．
