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在下图所示FET放大电路中，已知VDD=20V，VGS=-2V，管子参数IDSS=4mA，VP=-4V。设C1、C2在交流通路中可视为短路。(1)求电阻R1和静态电流IDQ；(2)求正常放大条件下R2可能的最大值(正常放大时，工作点落在放大区，即恒流区)；(3)设rds可忽略，在上述条件下计算Av和Ro。
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在下图所示放大电路中，已知UCC=12V，RC=2kΩ，RB1=40kΩ，RB2=20kΩ，RE1=100Ω，RE2=1.9kΩ，RL=2kΩ，三极管UBE=0.6V，β=60。C1=C2=CE=50uF，试求：静态工作点UCE。
下图所示的放大电路中，已知gm=1mS。画出其微变等效电路，并计算Au，Ri和Ro的值。
在图(a)所示的施密特触发器电路中，已知R1=10kΩ，R2=30kΩ。G1和G2为CMOS反相器，VDD=15V。
(1)试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT+和回差电压△VT。
(2)若将图(b)所示的波形加在图(a)所示的施密特触发器的输入端，试画出输出电压的波形。
分压式偏置稳定放大电路如下图所示，已知晶体管的β=60，UBE=-0.3V，rbb'=100Ω。
在CMOS电路中采用图(a)～(d)所示的扩展功能用法，试分析各图的逻辑功能，写出Y1～Y4的逻辑表达式。已知电源电压VDD=10V，二极管的正向导通压降为0.7V。
已知FET的特性曲线如下图所示，试判断它是哪一类场效应管？开启电压VTH或夹断电压VP约为多少？饱和电流IDSS约为多少？
下图所示放大电路为射极输出器，已知UCC=12V，RB=110kΩ，RE=3kΩ，RL=3kΩ，三极管UBE=0.6V，β=100。各电容足够大，求（1）带负载和空载两种情况下的电压放大倍数（2）输入电阻和输出电阻。
电荷前置放大器电路如下图所示。已知Ca=100pF，Ra=∞，CF=10pF。若考虑引线电容Cc的影响，当运放开环放大倍数A0=104时，要求输出信号衰减小于1%，求采用标称电容量为90pF/m的电缆时，其最大允许长度为多大？
在晶体管放大电路中，测得三个晶体管的各个电极的电位如下图所示。试判断各晶体管的类型(是PNP管还是NPN管)，并区分e、b、c三个电极。
