在图10.2所示的用CMOS反相器组成的施密特触发电路中,若R1=50kΩ,R2=100 kQ,VDD=5V,,试求电路的输入转换电平V
在图10.2所示的用CMOS反相器组成的施密特触发电路中,若R1=50kΩ,R2=100 kQ,VDD=5V,,试求电路的输入转换电平VT+、VT-以及回差电压△VT。
在图10.2所示的用CMOS反相器组成的施密特触发电路中,若R1=50kΩ,R2=100 kQ,VDD=5V,,试求电路的输入转换电平VT+、VT-以及回差电压△VT。
在图(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ。G1和G2为CMOS反相器,VDD=15V。
(1)试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT+和回差电压△VT。
(2)若将图(b)所示的波形加在图(a)所示的施密特触发器的输入端,试画出输出电压的波形。
图题4.18所示是用CMOS边沿触发器和或非门组成的脉冲分配电路。试画出在一系列CP脉冲作用下Q1、Q2和Z端对应的输出电压波形。设触发器的初始状态为Q=0。
CMOS芯片4007的内部电路如图T3.5-1所示,请用4007电路分别接成:
(1)3反相器;
(2)3输入或非门;
(3)3输入与非门;
在图10.12所示的对称式多谐振荡器电路中,若RF1=RF2=1kΩ,C1=C2=0.1μF,G1和G2为74LS04(六反相器)中的两个反相器,G1和G2的VOH=3.4V,VTH=1.1V,VIK=-1.5V,R1=20kΩ,求电路的振荡频率。
在CMOS电路中采用图(a)~(d)所示的扩展功能用法,试分析各图的逻辑功能,写出Y1~Y4的逻辑表达式。已知电源电压VDD=10V,二极管的正向导通压降为0.7V。
在图10.3.12所示的施密特触发器构成的多谐振荡器中,已知CMOS集成施密特触发器的VDD=15V,VT+=9V,VT-=4V,R=10 kΩ,C=0.01μF,试求该电路的振荡周期。
在图所示的用555定时器组成的多谐振荡器电路中,若R1=R2=5.1kΩ、C=0.01μF、Vcc=12V,试计算电路的振荡频率。
图13.11(a)所示是用JK触发器组成的双相时钟电路。若CP端加上时钟脉冲信号,在输出端可得到相位互相错开的时钟信号A和B,试画出Q,和A,B的波形,假设触发器的初始状态为0。
图2.3.5所示电路中,(a)图中的G1、G2均为CMOS门电路;(b)图中G1、G2和G3均为TTL门电路,G4为CMOS门电路。试写出Y1和Y2的逻辑表达式。
图所示起重构架的梁ACD由两根槽钢组成。已知a=3m,b=1m,F=30kN,杆材料自许用应力[σ]=140MPa,各槽钢的Wz=1.41×105mm3。试校核梁的强度。